有效整合技術資源 提升企業(yè)創(chuàng)新能力

推進裝備制造業(yè)進步主要包括三個方面：一是提高產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力。在國際競爭中培育有條件的集成電路裝備、制造、材料企業(yè)成為世界級企業(yè)，帶動產(chǎn)業(yè)良性發(fā)展，產(chǎn)業(yè)綜合實力和科技創(chuàng)新能力進入世界前列。二是提高科技創(chuàng)新能力。支持科研院所和高校，著力開展微電子前沿技術研究，加強技術儲備，引領我國微電子技術發(fā)展，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)技術水平與世界同步更新。三是提高機制創(chuàng)新能力。創(chuàng)造一個適應產(chǎn)業(yè)國際化趨勢又具有中國特色的重大專項實施運行機制，有效整合國際國內(nèi)技術資源，提高企業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新能力，培養(yǎng)世界一流集成電路產(chǎn)業(yè)人才隊伍。

實現(xiàn)上述目標需要一系列的組織措施。一是進行系統(tǒng)組織產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新，引導產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。首先應圍繞龍頭企業(yè)進行產(chǎn)業(yè)鏈整合，按照上下游配套的方式進行系統(tǒng)布局，以項目群方式支持協(xié)同創(chuàng)新研發(fā)。其次應組織產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新聯(lián)盟，整合資源，共同發(fā)展，比如組成封測產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)盟、TSV研發(fā)聯(lián)合體、材料產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新聯(lián)盟等。

二是加強以企業(yè)為主體的產(chǎn)業(yè)研發(fā)聯(lián)盟組織建設。鼓勵產(chǎn)學研用結合，鼓勵企業(yè)加強與院校合作，鼓勵院校圍繞企業(yè)需求開展技術攻關和創(chuàng)新研發(fā)工作。對競爭先導研發(fā)項目，以技術平臺和創(chuàng)新能力建設為核心，進行整體布局和組織整合，組織國內(nèi)有優(yōu)勢的科研院所、高校與骨干企業(yè)組成全國性聯(lián)盟，建設世界水平的開放式創(chuàng)新基地，鼓勵科研院所和高校與企業(yè)建立聯(lián)合實驗室。

三是大力推進知識產(chǎn)權戰(zhàn)略。在創(chuàng)新基礎上，鼓勵有策略的知識產(chǎn)權布局，形成“保護傘”，從“引進消化吸收再創(chuàng)新”轉為“基于自主創(chuàng)新的國際合作”。結合產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)盟，推進知識產(chǎn)權共享，形成專利池。

拋棄“替代戰(zhàn)略” 立足“協(xié)同創(chuàng)新”

當然，目前仍然存在一些問題。一是國家對產(chǎn)業(yè)的投入不足。我國集成電路的整個產(chǎn)業(yè)規(guī)模小，基礎薄弱，產(chǎn)能嚴重不足的現(xiàn)狀，說到底還是投入嚴重不足。由于其他渠道投入少，致使科技專項實際上承擔了整個產(chǎn)業(yè)資源組織的主要平臺功能，超出了科技專項承載的范圍。我國集成電路產(chǎn)業(yè)還遠未達到可以支撐自我良性發(fā)展的規(guī)模，還需要下戰(zhàn)略決心，加大產(chǎn)業(yè)投入。

二是從業(yè)企業(yè)缺乏辦企業(yè)的精神，活力不足。很多企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略不明晰，缺乏清晰的發(fā)展路線圖和差異化的產(chǎn)品規(guī)劃，產(chǎn)品碎片化、同質化嚴重，沒有專職的研發(fā)機構，無力開展系統(tǒng)性的研發(fā)工作。企業(yè)內(nèi)部仍然依賴“人治”，缺乏現(xiàn)代企業(yè)機制保障和組織執(zhí)行力。

三是在系統(tǒng)-設計-制造-封測-裝備-材料的產(chǎn)業(yè)鏈條上，企業(yè)相互害怕，信心不足，存在下游欺負上游，一環(huán)怕一環(huán)的現(xiàn)象。

因此，中國集成電路制造的出路還在于“協(xié)同創(chuàng)新戰(zhàn)略”，拋棄“替代戰(zhàn)略”，從引進消化吸收的受制于人中解脫出來，立足終端市場的產(chǎn)品定義，立足自主創(chuàng)新，立足上下游聯(lián)手，由一環(huán)怕一環(huán)，變成一環(huán)拉一環(huán)，才可能建立起真正的門檻，建立起差異化的競爭力，贏得發(fā)展主動權。(中科院葉甜春)

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我國IC制造產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新取得長足進展

目前我國產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新已取得一定進展。自2008年以來，我國針對集成電路先進制造工藝和特色工藝做了重點布局，部分成果已形成產(chǎn)品進入市場銷售和推廣應用，在14nm～20nm先導研發(fā)上取得進展，初步形成知識產(chǎn)權體系。22nm后高k工藝、嵌入式存儲器、DFM模塊形成解決方案，研制出與主流工藝兼容的FinFET原型器件(全后棚HKMG)。在22nm和14nm技術代，完成專利申請1500多項(包括美國專利500多項)。

在高端封裝上實現(xiàn)跨越，一批高端封裝工藝開發(fā)成功，一些技術開始與國際領先廠商并駕齊驅。在高密度多層多芯片堆疊工藝技術上已達國際一流。8層及8層以上的芯片堆疊工藝技術，芯片厚度僅75μm;多芯片、高密度封裝技術，12英寸晶圓厚度減薄可達50μm，低焊線技術弧高低達30μm。

國產(chǎn)裝備實現(xiàn)從無到有的突破。2008年12英寸國產(chǎn)裝備是空白，當時只有2種8英寸設備，至2013年已有3種65nm設備、2種28nm設備實現(xiàn)銷售，6種28nm設備驗證接近完成。其中，前道裝備累計銷售168臺，后道封測設備累計銷售670臺(其中封裝光刻機銷售10臺)，太陽能、LED裝備累計銷售390臺(套)，零部件累計銷售3405件。上海中微的12英寸介質刻蝕機進入批量銷售;北方微12英寸硅刻蝕機、PVD進入銷售，TSV封裝與LED系列裝備開始批量銷售;上海微電子封裝光刻機等產(chǎn)品進入批量銷售;七星華創(chuàng)Low-k清洗機、氧化爐等產(chǎn)品開始進入銷售;北京中科信12英寸注入機等產(chǎn)品開始用戶試用考核;上海睿勵的光學檢測設備等產(chǎn)品開始用戶試用考核。

總體上來說，隨著國家重大專項的實施，集成電路產(chǎn)業(yè)技術取得長足進步，產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新能力正在加速提升，產(chǎn)業(yè)鏈正在加速形成，一流的產(chǎn)業(yè)人才隊伍正在加速集聚，同時逐步摸索出一套適應國情的聯(lián)合攻關方式，得到各方肯定，如組織“產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新聯(lián)盟”，按產(chǎn)業(yè)鏈模式組織攻關;實行“用戶考核制”，下家考核上家、整機考核部件、市場考核產(chǎn)品。