從內(nèi)部構(gòu)造分析單、多晶電池性能差異
一、晶硅太陽(yáng)能電池的分類
晶硅太陽(yáng)能電池從結(jié)構(gòu)來(lái)分,分為P型和N型(詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)參考:P型和N型電池結(jié)構(gòu)的詳細(xì)介紹)。目前主流的電池多為P型,其電池片結(jié)構(gòu)如圖1所示:一般以P型Si作為基底,表面擴(kuò)散磷形成PN結(jié),外面再鍍一層減反射膜。PN結(jié)是太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵結(jié)構(gòu),PN結(jié)品質(zhì)的好壞直接決定電池光電轉(zhuǎn)換能力的高低。
圖1:P型晶硅電池結(jié)構(gòu)示意圖
晶硅太陽(yáng)能電池從制造工藝來(lái)分,又分為單晶硅電池和多晶硅電池。
單晶硅片來(lái)自于單晶硅硅棒切割,硅棒采取類似藍(lán)寶石等單晶材料的生長(zhǎng)方式。因此,其原子排列短程有序、長(zhǎng)程也有序,得到的半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷相對(duì)較少,但相應(yīng)的成本也更高。
多晶硅片來(lái)自于多晶硅鑄錠切割,硅錠的工藝路線類似鋼鐵材料。因此,其原子排列僅短程有序,存在晶界。
圖2:?jiǎn)巍⒍嗑Ч杈Ц袷疽鈭D
圖3:多晶材料晶界示意圖
二、單、多晶硅太陽(yáng)能電池的差異
1PN結(jié)構(gòu)造的差異
單晶硅片因具有完美的晶體結(jié)構(gòu),易制備高品質(zhì)的PN結(jié)。
多晶硅片由于內(nèi)部晶界、缺陷、雜質(zhì)等的大量存在,會(huì)影響PN結(jié)本身的品質(zhì),導(dǎo)致PN結(jié)內(nèi)部旁路的增加,電池外在電性能則表現(xiàn)為開路電壓,填充因子的下降,并聯(lián)電阻的降低。
圖4:多晶硅擴(kuò)散后獲得的PN結(jié),因晶界存在導(dǎo)致漏電流高于單晶
2少子壽命的差異
單晶硅片完美的晶體結(jié)構(gòu),極低的缺陷密度和雜質(zhì)含量,使其具有更高的少子壽命,即光照產(chǎn)生的正電荷和負(fù)電荷具有較長(zhǎng)的壽命,在被PN結(jié)分離前及輸運(yùn)至電極的過(guò)程中不會(huì)消失(被雜質(zhì)、缺陷捕獲),而后被分離的正負(fù)電荷,經(jīng)由電極收集輸出,形成電流。電池外在電性能表現(xiàn)為電流的上升,效率的提高。
多晶硅片中的少子壽命則相對(duì)較低,光照所激發(fā)的正負(fù)電荷很快復(fù)合在一起并釋放出能量,相比單晶,光能更多的轉(zhuǎn)化為熱能而非電能。單、多晶硅片的少子壽命分布 如圖5所示。紅色表示少子壽命短,藍(lán)色表示少子壽命長(zhǎng)。
圖5:?jiǎn)巍⒍嗑Ч杵纳僮訅勖植紙D
3轉(zhuǎn)換效率的差異
單晶在轉(zhuǎn)換效率方面優(yōu)勢(shì)更明顯,尤其PERC技術(shù)的量產(chǎn),對(duì)于單晶效率的提升顯著。另外,從產(chǎn)業(yè)技術(shù)趨勢(shì)來(lái)看,單晶技術(shù)路線相對(duì)其他技術(shù)路線擁有更高的轉(zhuǎn)換效率和更大的效率提升空間。圖6為2015國(guó)際光伏技術(shù)路線圖。
圖6:國(guó)際光伏技術(shù)路線圖(2015版)

責(zé)任編輯:蔣桂云
- 相關(guān)閱讀
- 火力發(fā)電
- 風(fēng)力發(fā)電
- 水力發(fā)電
- 光伏太陽(yáng)能
-
中電聯(lián)公布沿海電煤采購(gòu)指數(shù)CECI第19期:電煤價(jià)格跌破500元
-
把核電帶到人群中 中國(guó)核電核科普步步生花
-
超低排放機(jī)組脫硫漿液循環(huán)泵運(yùn)行方式優(yōu)化
2018-04-13超低排放
-
中國(guó)風(fēng)電新增裝機(jī)容量開始走向下行
-
解密低風(fēng)速風(fēng)電開發(fā)
-
印度重啟風(fēng)電開發(fā)項(xiàng)目 企業(yè)如何把握這一輪復(fù)蘇