5月24日，國家電網(wǎng)公司科技部在北京組織召開了國家電網(wǎng)公司科技項目“高壓IGBT芯片表面鈍化工藝研究”項目驗收會。國家電網(wǎng)公司科技部、驗收專家、項目研究團隊等20余人參加了會議。與會專家聽取了項目組的研究工作匯報，認真審閱了工作報告、技術(shù)報告、檢測報告、決算報告、審計報告等項目資料，經(jīng)質(zhì)詢與討論，一致認為項目組完成了課題任務書和合同規(guī)定的全部研究內(nèi)容，提交資料齊全、規(guī)范，同意項目通過驗收。

該項目由全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司牽頭，項目組在深入研究鈍化機理的基礎(chǔ)上研究了一款適于項目目標的聚酰亞胺材料，提出了高壓功率芯片的表面鈍化工藝方案，優(yōu)化了聚酰亞胺前清洗、涂覆、光刻、刻蝕及固化關(guān)鍵工藝菜單，完成了厚度大于20微米的聚酰亞胺膜層制備工藝研究與加工。

本項目共歷時3年，聯(lián)研院通過方案制定，試驗設(shè)計，工藝加工，樣品試制和測試評估，全面掌握了高壓IGBT芯片表面的鈍化工藝，完成了整個鈍化工藝的研究與開發(fā)。目前研究成果已經(jīng)應用到聯(lián)研院的高壓IGBT和FRD樣品之上，試制的3300V/50AIGBT和3300V/100AFRD芯片通過了1000小時的可靠性考核，為直流斷路器等高端電力裝備的全面國產(chǎn)化奠定了基礎(chǔ)。