圖3.(a)不同條件的反射率。(b)沉積SiNx后不同條件的反射率

圖4.不同條件的方阻和表面面積。

圖5.不同條件的IQE。

表2.不同條件的電性能。Voc開(kāi)路電壓，Jsc短路電流密度，Rsh并阻，Jrev反向飽和電流密度， FF填充因子，Eff光電轉(zhuǎn)效率。

圖6.C3和酸制絨電池的I-V曲線。

圖7.使用SEM掃描的電池的Ag-Si接觸的橫截面圖。(a)C3條件，(b)C3條件高放大倍數(shù)，(c)酸制絨山峰底部，(d)酸制絨山峰頂部。

4 總結(jié)

利用PIII方法成功制備出多晶黑硅。研究了不同制絨條件下的絨面結(jié)構(gòu)，發(fā)現(xiàn)制絨條件不同，絨面小山峰的高度不同。反射率和方阻隨著山峰高度的增加而降低;但由于表面復(fù)合的增加，IQE也隨之降低。山峰高度300nm條件的效率最高，高達(dá)15.99%。開(kāi)路電壓、短路電流和酸制絨多晶硅電池的幾乎相同。但黑硅山峰底部Ag-Si接觸較差，填充因子比酸制絨多晶硅電池低很多。通過(guò)改善黑硅表面鈍化和Ag-Si接觸可以進(jìn)一步提升黑硅太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。